Samsung Electronics gab gestern bekannt, dass das Unternehmen mit der Bemusterung seiner ersten 256 Gigabyte SD Express microSD-Karte begonnen hat. Mit der Einführung seiner microSD-Kartenreihe der nächsten Generation will Samsung differenzierte Speicherlösungen anbieten, die für das mobile Computing und die KI-Anwendungen auf dem Gerät von morgen erforderlich sind.
Dank eines stromsparenden Designs sowie einer Firmware-Technologie, die für hohe Leistung und Wärmemanagement optimiert ist, soll die SD Express microSD-Karte von Samsung eine Leistung bieten, die SSDs in einem kleinen Formfaktor entspricht. Während die Lesegeschwindigkeit für herkömmliche microSD-Karten auf Basis der UHS-1-Schnittstelle auf 104 MB/s begrenzt war, könnte SD Express sie auf 985 MB/s steigern.
Tatsächlich soll die sequentielle Lesegeschwindigkeit der 256 GB SD Express microSD-Karte von Samsung bereits bis zu 800 MB/s erreichen. Also 1,4-mal schneller als SATA-SSDs (bis zu 560 MB/s) und mehr als viermal schneller im Vergleich zu herkömmlichen UHS-1-Speicherkarten (bis zu 200 MB/s). Um eine stabile Leistung und Zuverlässigkeit für den kleinen Formfaktor zu gewährleisten, sorgt die Dynamic Thermal Guard (DTG)-Technologie dafür, dass die optimale Temperatur für die SD Express microSD-Karte auch bei längerer Nutzung aufrechterhalten wird.
Samsung hat zudem angekündigt, bald auch eine 1-TB-microSD-Karte mit herkömmlichem UHS-I-Interface zu fertigen. Diese Karte soll auf acht Schichten des 1-Terabit (Tb) V-NAND Speichers der 8. Generation basieren und diese im microSD-Formfaktor nutzbar machen.
Die 256 GB SD Express microSD-Karte wird noch in diesem Jahr zum Kauf angeboten, die 1TB UHS-1 microSD-Karte soll im dritten Quartal dieses Jahres auf den Markt kommen.
